主要參數(shù)
ARM® Cortex®-M0 內(nèi)核，48MHz，
32KB Flash，4KB SRAM，QFN28L封裝(4×4, e=0.5)
工作溫度：-40~105℃
工作電壓：2.0~5.5V

產(chǎn)品簡介
CS32F031系列是芯?？萍纪瞥龅?2位工業(yè)級信號鏈MCU，采用ARM® Cortex®-M0 內(nèi)核，頻率48MHz，最高集成64Kbytes flash和8Kbytes SRAM，并提供豐富的通信接口（I2C、SPI/I2S和USART）和多達12個定時器，具備可靠性高、精度高、功耗低等特點。

CS32F031系列集成豐富的信號鏈IO，包括INL低至1.2LSB的12位ADC、溫漂60ppm/℃的內(nèi)部參考電壓、±2℃精度的溫度傳感器等；符合IEC60730的要求，支持Flash/RAM硬件校驗，具備寬溫(-40~105℃(環(huán)境溫度)/125℃(結(jié)溫))、寬壓(2.0~5.5V)等特點；并提供一系列電源工作模式，以滿足不同的低功耗應用。

系統(tǒng)特性
內(nèi)核：32位ARM® Cortex®-M0內(nèi)核，最高頻率48MHz

存儲器

— 32~64KBytes的Flash存儲器，支持硬件校驗

— 192Bytes數(shù)據(jù)Flash存儲器

— 4~8KBytes的SRAM，帶硬件奇偶校驗

CRC32發(fā)生/校驗器

5通道DMA，支持的外設(shè): SPIx, I2Sx, I2Cx, USARTx, TIMx, ADC

最多39個I/O，支持最高48MHz工作頻率，所有I/O映射外部中斷向量

支持從內(nèi)部Flash、內(nèi)部SRAM和系統(tǒng)存儲器啟動

電源管理

— 低功耗模式: 睡眠，深度睡眠1，深度睡眠2和待機模式

— 獨立VBAT為RTC和備用寄存器供電

— 支持上電/掉電復位 (POR/PDR)

— 支持低電壓檢測 (LVD)

96位UNID

串行單線調(diào)試(SWD)

工作環(huán)境

— VDD/VDDA電壓: 2.0 to 5.5V

— VBAT電壓: 2.0 to 5.5V

— 溫度范圍: -40 to 105℃

時鐘和定時器
時鐘模塊

— 內(nèi)部8MHz RC振蕩器(HRC), 精度±1%

— 內(nèi)部14MHz RC振蕩器(HRC14), 精度±1%

— 內(nèi)部40KHz RC振蕩器(LRC)

— 4~32MHz 晶體振蕩器(HXT)

— 32.768KHz 低速晶體振蕩器(LXT)

— 鎖相環(huán)(PLL), 最高支持 48MHz

定時器(TIM)

— 1路16位高級控制定時器(TIM1)，有6個帶死區(qū)控制的PWM輸出通道

— 1路32位通用定時器

— 多達5路16位通用定時器

— 1路16位基礎(chǔ)定時器

— 1路獨立看門狗定時器(FWDT)和1路窗看門狗定時器(WWDT)

— 1個24位系統(tǒng)時間定時器(SysTick)

具備日歷功能的RTC

— 支持報警和周期性地從深度睡眠1/深度睡眠2/待機模式下喚醒

— VDD關(guān)閉時保存20 bytes的用戶數(shù)據(jù)

通訊接口
最多2個SPI接口(18Mbps)，支持4到16位可配置的幀格式，其中SPI1可復用作I2S接口

最多2個USART接口(6Mbps)，支持從深度睡眠1/深度睡眠2模式喚醒

最多2個主/從I2C接口(1M bit/s)，支持時鐘延展和多個從地址，其中I2C1支持從深度睡眠1/深度睡眠2模式喚醒

信號鏈IO
1路12位ADC，1us轉(zhuǎn)換時間，最多10 個外部輸入通道，INL低至1.2LSB

— 工作電壓范圍: 2.4 to 5.5V

— 輸入電壓轉(zhuǎn)換范圍: 0~5.5V

內(nèi)置1.22V參考電壓，60ppm低溫漂

內(nèi)置溫度傳感器,精度±2℃

VBAT內(nèi)部監(jiān)測,精度1%

封裝
QFN28L

訂購信息
Part No. 
Flash

RAM

Package Packing Type Working  Temp. MSL
CS32F031G6U6 32KB 4KB QFN28L 4×4 Tray -40 ~ 105℃ MSL3
CS32F031G6U6T 32KB 4KB QFN28L 4×4 Tape and Reel -40 ~ 105℃ MSL3